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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116970907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310969926.0，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法是由吴宏荣;汤文慧;赵军华设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法，涉及纳米薄膜电极领域，该方法在真空镀膜腔室中，利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用金属靶材在硅片基底表面制备纳米级厚度的金属纳米薄膜，然后切换至使用铝靶材，并利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用铝靶材在金属纳米薄膜表面制备具有预定纳米级厚度的铝纳米薄膜，制备得到金属纳米薄膜电极。铝纳米薄膜在高温下稳定吸附在金属纳米薄膜表面，且厚度可控，表面平整，与金属纳米薄膜表面结合强度高。铝纳米薄膜在空气中氧化形成的氧化铝膜可有效避免金属纳米薄膜的高温氧化，从而有利于提高金属纳米薄膜电极的抗氧化性，使得金属纳米薄膜电极能够具有较高的极限工作温度。

本发明授权一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在真空镀膜腔室中，利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用金属靶材在硅片基底表面制备纳米级厚度的金属纳米薄膜； 在真空镀膜腔室下控制所述多靶位电子束蒸发镀膜仪切换至使用铝靶材，并利用所述多靶位电子束蒸发镀膜仪使用铝靶材在所述金属纳米薄膜表面制备具有预定纳米级厚度的铝纳米薄膜，制备得到金属纳米薄膜电极； 所述金属纳米薄膜电极的极限工作温度与所述铝纳米薄膜的预定纳米级厚度相关，所述制备方法还包括：在所述真空镀膜腔室中制备多个样品薄膜电极，各个样品薄膜电极包括依次层叠的硅片基底、金属纳米薄膜和铝纳米薄膜，各个所述样品薄膜电极中的铝纳米薄膜的厚度不同、其他规格参数均相同；将各个样品薄膜电极从所述真空镀膜腔室中取出，并在相同的环境下进行氧化试验，分别获取各个样品薄膜电极的特性参数，所述特性参数用于表征样品薄膜电极中的金属纳米薄膜的氧化程度，且获取到的特性参数越优、表征的金属纳米薄膜的氧化程度越小、所述样品薄膜电极的极限工作温度越高；确定特性参数最优的样品薄膜电极中的铝纳米薄膜的厚度作为所述预定纳米级厚度； 其中，所述分别获取各个样品薄膜电极的特性参数包括：确定各个样品薄膜电极的光学显微镜图中的金属薄膜氧化物的尺寸，金属薄膜氧化物是金属纳米薄膜与空气接触形成的氧化物，金属薄膜氧化物的尺寸越小、表征的金属纳米薄膜的氧化程度越小；和或，通过四探针法测量各个样品薄膜电极的电阻增加量随时间的变化曲线，电阻增加量随时间上升越小、表征的金属纳米薄膜的氧化程度越小；和或，通过四探针法测量各个样品薄膜电极的电导率随时间的变化曲线，电导率随着时间下降越小、表征的金属纳米薄膜的氧化程度越小；和或，获取各个样品薄膜电极中金属靶材的XPS能谱图，并将样品薄膜电极中金属靶材的XPS能谱图分别与所述金属靶材的能谱图和所述金属靶材的氧化物能谱图进行匹配样品薄膜电极中金属靶材的XPS能谱图与金属靶材的能谱图的匹配程度更高、表征的金属纳米薄膜的氧化程度越小。

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