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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利CMOS基准电压源及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116661547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310760639.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权CMOS基准电压源及其设计方法是由王晶;何军;邓宸;程林设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS基准电压源及其设计方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种CMOS基准电压源及其设计方法，该CMOS基准电压源能够于‑40℃至170℃温度条件下提供基准电压，所述CMOS基准电压源包括：CTAT电压产生单元，包括第一电路分支和第二电路分支，用于分别产生CTAT电压和偏置电压；以及PTAT电压产生单元，用于在所述偏置电压的作用下生成PTAT补偿电压，以与接收的CTAT电压进行温度补偿，得到并输出基准电压。该CMOS基准电压源功耗为nW级，所需电源电压小于1V。

本发明授权CMOS基准电压源及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS基准电压源，能够于-40℃至170℃温度条件下提供基准电压，所述CMOS基准电压源包括： CTAT电压产生单元，包括第一电路分支和第二电路分支，用于分别产生CTAT电压和偏置电压；以及 PTAT电压产生单元，用于在所述偏置电压的作用下生成PTAT补偿电压，以与接收的CTAT电压进行温度补偿，得到并输出基准电压； 所述第一电路分支包括第一PMOS管组、第一NMOS管组、偏置电阻Rb、以及第一DTMOS管M9；所述第二电路分支包括第二PMOS管组、第二NMOS管组、以及第二DTMOS管M10；所述第一PMOS管组和所述第二PMOS管组中的PMOS管对称匹配设置；所述第一NMOS管组和所述第二NMOS管组中的NMOS管对称匹配设置；所述第一DTMOS管M9和第二DTMOS管M10的尺寸比为N:1，N取2-10； 所述第一PMOS管组和所述第二PMOS管组中的PMOS管的源极均连接至电源电压；所述第一NMOS管组中的NMOS管的源极相连后连接至偏置电阻Rb的一端，偏置电阻Rb的另一端连接至第一DTMOS管M9的源极，第一DTMOS管M9的衬底连接漏极后接地，第一DTMOS管M9的栅极接地；所述第二NMOS管组中的NMOS管的源极相连后连接至第二DTMOS管M10的源极，第二DTMOS管M10的衬底连接漏极后接地，第二DTMOS管M10的栅极接地； 所述第一PMOS管组包括尺寸比为K:1的第一PMOS管M1和第二PMOS管M2，K取1-4；第二PMOS管组包括尺寸比为1:K的第三PMOS管M3和第四PMOS管M4；所述第一PMOS管M1和第四PMOS管M4的栅极相连，且连接至第二PMOS管M2的漏极；所述第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极相连，且连接至第三PMOS管M3的漏极； 所述第一NMOS管组包括尺寸比为K:1的第五NMOS管M5和第六NMOS管M6；第二NMOS管组包括尺寸比为1:K的第七NMOS管M7和第八NMOS管M8；所述第五NMOS管M5的栅极和第七NMOS管M7的栅极相连，且连接至第五NMOS管M5的漏极，第五NMOS管M5的漏极与第一PMOS管M1的漏极相连；所述第六NMOS管M6的栅极和第八NMOS管M8的栅极相连，且连接至第八NMOS管M8的漏极，第八NMOS管M8的漏极与第四PMOS管M4的漏极相连；第六NMOS管M6的漏极和第二PMOS管M2的漏极相连，第七NMOS管M7的漏极和第三PMOS管M3的漏极相连； 所述PTAT电压产生单元，包括第十一PMOS管M11和带有NMOS电流镜负载的PMOS差分对电路；第十一PMOS管M11的源极连接至电源电压，其栅极与第二PMOS管M2的漏极相连，以在偏置电压的作用下于漏极产生PTAT偏置电流；带有NMOS电流镜负载的PMOS差分对电路与第十一PMOS管M11的漏极相连，用于在偏置电压的作用下生成PTAT补偿电压。

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