中国科学院金属研究所刘驰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种光电器件光控二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210028677.0，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种光电器件光控二极管及其制作方法是由刘驰;冯顺;韩如月;孙东明;成会明设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电器件光控二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米半导体材料光电探测器和光电存储器的研发与应用领域，具体为一种光电器件光控二极管及其制作方法。光控二极管是由六方氮化硼h‑BN保护层、石墨烯电极、二硫化钼MoS2n‑n‑结、h‑BN光栅层和栅极介质层组成。基于以MoS2n‑n‑结和h‑BN为光栅层异质结构的光控二极管，能够实现光照下电流状态由关态到整流态转换，因而在集成时不需要外部的选通器件。随着h‑BN光栅层厚度增加，光控二极管由单一功能的光电探测器变为多功能的光电存储器。基于光控二极管的光电存储器具备弱光探测、非易失性高响应度、长时间存储等功能；并且，制作了没有任何外部选择器的光电存储阵列，演示了图像存储和信息处理功能。
本发明授权一种光电器件光控二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电器件光控二极管，其特征在于，光控二极管是由h-BN保护层、石墨烯电极、MoS2n-n-结、h-BN光栅层和栅极介质层组成，具体结构如下： 栅极介质层由硅半导体衬底作为栅电极，以衬底上二氧化硅绝缘层作为介电层，h-BN光栅层设置于介电层上，MoS2n-n-结设置于h-BN光栅层上，MoS2n-n-结为n型MoS2与p型掺杂MoS2一体组合结构，h-BN保护层覆盖n型MoS2；石墨烯电极包括作为接触电极的阳极石墨烯电极和阴极石墨烯电极，阴极石墨烯电极和阳极石墨烯电极分别设置于n型MoS2之上与p型掺杂MoS2之上，阴极引线电极位于阴极石墨烯电极的一端上表面，阳极引线电极位于阳极石墨烯电极的一端下表面，阳极石墨烯电极的另一端搭接于p型掺杂MoS2之上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院金属研究所，其通讯地址为：110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励