散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所唐健获国家专利权
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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116469600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310290702.7,技术领域涉及:G21K1/16;该发明授权一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法是由唐健;张俊佩;童欣;邓昌东;王天昊;李君;齐欣;郑玉杰;黄楚怡设计研发完成,并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法在说明书摘要公布了:一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法,涉及极化氦三技术领域。系统包括四套亥姆霍兹线圈;第一套亥姆霍兹线圈套设于第二套亥姆霍兹线圈;第一套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面相交,其相交线通过第一套亥姆霍兹线圈和第二套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心;第二套亥姆霍兹线圈套设于第三套亥姆霍兹线圈;第三套亥姆霍兹线圈套设于第四套亥姆霍兹线圈;第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第四套亥姆霍兹线圈所处平面相交,其相交线通过第三套亥姆霍兹线圈和第四套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心;第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第一套亥姆霍兹线圈所处平面垂直;第四套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面垂直。
本发明授权一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法在权利要求书中公布了:1.一种广角氦三中子极化装置的磁场系统,其特征在于,包括第一套亥姆霍兹线圈、第二套亥姆霍兹线圈、第三套亥姆霍兹线圈和第四套亥姆霍兹线圈; 所述第一套亥姆霍兹线圈套设于所述第二套亥姆霍兹线圈,所述第一套亥姆霍兹线圈的内径大于所述第二套亥姆霍兹线圈的外径;所述第一套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面相交,并且,所述第一套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面相交的相交线,通过所述第一套亥姆霍兹线圈和第二套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心; 所述第二套亥姆霍兹线圈套设于所述第三套亥姆霍兹线圈,所述第二套亥姆霍兹线圈的内径大于所述第三套亥姆霍兹线圈的外径;所述第三套亥姆霍兹线圈套设于所述第四套亥姆霍兹线圈,所述第三套亥姆霍兹线圈的内径大于所述第四套亥姆霍兹线圈的外径;所述第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第四套亥姆霍兹线圈所处平面相交,并且,所述第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第四套亥姆霍兹线圈所处平面相交的相交线,通过所述第三套亥姆霍兹线圈和第四套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心; 其中,所述第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第一套亥姆霍兹线圈所处平面垂直;所述第四套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面垂直; 所述磁场系统的磁场方向根据流经每一套亥姆霍兹线圈的电流大小和电流方向确定,所述磁场方向用于维持所述氦三的自旋方向。
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