中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院罗军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利铁电晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211704312.1，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权铁电晶体管结构及其制备方法是由罗军;陈博涵;许静设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铁电晶体管结构及其制备方法，铁电晶体管结构包括：底层衬底；位于底层衬底的表面，且沿背离底层衬底方向依次设置的铁电层、绝缘介质层和顶层衬底；位于顶层衬底上的场效应晶体管；以及，贯穿顶层衬底并与铁电层电连接的控制电极，所述控制电极用于控制所述铁电层。本发明能够提高铁电晶体管的集成度，降低铁电晶体管的结构复杂度和制备的难度。
本发明授权铁电晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电晶体管结构，其特征在于，包括：底层衬底；所述底层衬底的材料包括：硅和碳化硅中的至少一种以及锗和砷化镓中的至少一种； 位于所述底层衬底的表面，且沿背离所述底层衬底方向依次设置的铁电层、绝缘介质层和顶层衬底，所述铁电层与所述底层衬底直接贴合； 位于所述顶层衬底上的场效应晶体管，所述场效应晶体管位于所述绝缘介质层背离铁电层的一侧；所述场效应晶体管包括：位于底层衬底背离底层衬底方一侧的栅极结构，以及位于顶层衬底内的源极和漏极；栅极结构、源极和漏极均位于绝缘介质层的上方； 以及，贯穿所述顶层衬底并通过所述底层衬底与所述铁电层电连接的控制电极，所述控制电极用于控制所述铁电层。
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