友达光电股份有限公司黄震铄获国家专利权
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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556797.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法是由黄震铄设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法，其中该存储器装置包括基板、氧化物绝缘层、第一金属氧化物层、第一栅介电层、第二金属氧化物层、第二栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。氧化物绝缘层位于基板之上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘层之上。第一栅介电层位于第一金属氧化物层之上。第二金属氧化物层位于第一栅介电层之上。第二栅介电层位于第二金属氧化物层之上。第一栅极位于第二栅介电层之上。第二金属氧化物层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。源极以及漏极电连接第一金属氧化物层。
本发明授权存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器电路，包括： 基板； 氧化物绝缘层，位于该基板之上，且包括第一含氧结构以及第二含氧结构； 第一栅介电层，位于该氧化物绝缘层之上，且包括第一介电结构以及第二介电结构，其中该第二含氧结构与该第二介电结构互相堆叠以构成凸起结构； 第二栅介电层，位于该第一栅介电层之上； 存储器装置，包括： 第一金属氧化物层，位于该第一含氧结构之上； 第二金属氧化物层，其中该第一介电结构位于该第一金属氧化物层与该第二金属氧化物层之间； 第一栅极，其中该第二栅介电层位于该第二金属氧化物层与该第一栅极之间，且该第二金属氧化物层位于该第一栅极与该第一金属氧化物层之间；以及 第一源极以及第一漏极，电连接该第一金属氧化物层；以及 薄膜晶体管，包括： 第三金属氧化物层，覆盖该凸起结构的顶面以及侧面； 第二栅极，重叠于该第三金属氧化物层，且该第二栅介电层位于该第二栅极与该第三金属氧化物层之间；以及 第二源极以及第二漏极，电连接该第三金属氧化物层。
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