武汉纺织大学王栋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211476473.X，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法是由王栋;王跃丹;陶洋;郝盼盼;李沐芳;江威;李梦杰设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法，晶体管包括导电纤维，导电纤维的一端表面设有第一导电层作为源极，导电纤维的表面设有绝缘层，绝缘层与导电纤维同轴设置；绝缘层的表面设有第二导电层作为漏极，漏极与源极之间设有源层作为沟道；该晶体管还包括第二导电纤维作为栅极，栅极与源极、漏极之间设有凝胶电解质。本发明通过制备垂直型晶体管结构，控制绝缘层的厚度实现沟道长度的调节，实现了短沟道有利于电子的传输与迁移的同时，减少了短沟道效应的发生；且该垂直型纤维基有机电化学晶体管相比于传统的纤维基晶体管，结构引起的陷阱减少，提高了晶体管的性能，该晶体管可广泛应用于智能可穿戴和生物传感器等领域。
本发明授权垂直型纤维基有机电化学晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型纤维基有机电化学晶体管，其特征在于，包括导电纤维，所述导电纤维的一端表面设有第一导电层作为源极，所述导电纤维的圆筒形表面设有绝缘层，所述绝缘层与所述导电纤维同轴设置；所述绝缘层的表面设有第二导电层作为漏极，所述漏极与所述源极之间设有源层作为沟道，所述绝缘层的厚度为所述漏极与所述源极之间的垂直距离，为所述沟道的长度；该晶体管还包括第二导电纤维作为栅极，所述栅极与所述源极、漏极之间设有凝胶电解质。
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