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龙图腾网获悉西安邮电大学申请的专利Si1-xGex/Si异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211529132.4，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权Si1-xGex/Si异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管是由陈庆;杨露露;齐增卫;孙榕;刘含笑;贺炜设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本Si1-xGex/Si异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及Si1‑xGexSi异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管；目的是在缓解双栅TFETDGTFET的双极效应问题的基础上进一步提高双栅TFETDGTFET的开态电流和开关电流比，以及降低亚阈值摆幅；包括漏区、沟道区和源区，沟道区为阶梯型结构，沟道区的薄端与源区连接，沟道区的厚端与漏区连接；沟道区上下两侧均设置有与沟道区形状相适配的阶梯型结构低k栅氧化层，低k栅氧化层的台阶面位于沟道区台阶面的左侧，低k栅氧化层薄端的厚度小于低k栅氧化层厚端的厚度；低k栅氧化层薄端的上下两侧均设置有与其长度相等的高k栅氧化层；低k栅氧化层采用低k介质材料制备，高k栅氧化层采用高k介质材料制备；源区采用Si1‑xGex制备，沟道区和漏区采用硅制备。

本发明授权Si1-xGex/Si异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种Si1-xGexSi异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管，包括从右往左依次设置的漏区3、沟道区2和源区1，其特征在于： 所述沟道区2为阶梯型结构，沟道区2的薄端与源区1连接，且两者厚度相同，沟道区2的厚端与漏区3连接，且两者厚度相同； 所述沟道区2上下两侧均设置有与沟道区2形状相适配的阶梯型结构低k栅氧化层4，低k栅氧化层4的台阶面位于沟道区2台阶面的左侧，低k栅氧化层4的长度与沟道区2的长度相等，低k栅氧化层4薄端的厚度小于低k栅氧化层4厚端的厚度；所述低k栅氧化层4薄端的上下两侧均设置有与其长度相等的高k栅氧化层5； 所述低k栅氧化层4采用低k介质材料制备，所述高k栅氧化层5采用高k介质材料制备；所述源区1采用Si1-xGex制备，沟道区2和漏区3采用硅制备，其中x表示SiGe中的锗的含量，0x1； 定义：高k栅氧化层5的厚度为A、低k栅氧化层4薄端的厚度为B、低k栅氧化层4厚端的厚度为C、沟道区2薄端的厚度为D、沟道区2厚端的厚度为E、低k栅氧化层4的台阶面与沟道区2的台阶面之间距离为L，则A、B、C、D、E、L满足以下公式：2A+2B+D≤2C+E；且A+B≥C；L＝C。

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