长鑫存储技术有限公司邱少稳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110799563.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质是由邱少稳设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质在说明书摘要公布了：本公开是关于一种量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质。其中量测标记，设置于半导体结构，半导体结构包括衬底，量测标记应用于刻蚀后的检查过程，量测标记包括层叠的第一标记层和第二标记层，第一标记层在衬底上的投影轮廓与第二标记层在衬底上的投影轮廓重合；量测标记包括位于第一标记层的第一标记组，以及位于第二标记层的第二标记组；量测标记被配置为，量测光线经过第一标记组和第二标记组后，所述量测光线的零阶衍射光线的光强分布不对称。该量测标记可用于量测半导体结构中任意两层之间的套刻误差。
本发明授权量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差的量测标记，设置于半导体结构，所述半导体结构包括衬底，其特征在于，所述量测标记应用于刻蚀后的检查过程，所述量测标记包括层叠的第一标记层和第二标记层，所述第一标记层在衬底上的投影轮廓与所述第二标记层在衬底上的投影轮廓重合； 所述量测标记包括位于所述第一标记层的第一标记组，以及位于所述第二标记层的第二标记组； 所述量测标记被配置为，量测光线经过所述第一标记组和所述第二标记组后，所述量测光线的零阶衍射光线的光强分布不对称； 所述量测标记位于所述半导体结构的切割道区； 所述量测标记包括至少一个量测对，所述量测对包括所述第一标记组中的多个第一标记单元，以及所述第二标记组中的多个第二标记单元，且多个所述量测对在所述衬底上的投影相互错开； 多个第一标记单元沿横向方向排列，多个第二标记单元以与横向成10°角的方向排列；所述第一标记单元与所述第二标记单元的形状不同，所述第一标记单元与所述第二标记单元的尺寸不同。
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