买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种提升效率的光阻回刻方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211329748.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种提升效率的光阻回刻方法及装置是由杨磊设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升效率的光阻回刻方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升效率的光阻回刻方法及装置，通过将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，提高了光阻回刻的整体效率。

本发明授权一种提升效率的光阻回刻方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，包括： 利用一个刻蚀腔，建立具有控制完整的光阻回刻制程的工艺菜单，所述刻蚀腔具有第二污染等级； 将完成光阻回刻前光刻的衬底，由第一污染等级的光刻设备送入第二污染等级的所述刻蚀腔中，连续完成所述完整的光阻回刻制程，所述完成光阻回刻前光刻的衬底上形成有伪栅极结构以及覆盖至少部分所述伪栅极结构的光阻；所述完整的光阻回刻制程包括用于刻蚀所述光阻的第一回刻步骤和用于刻蚀所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层的第二回刻步骤，所述第一污染等级低于所述第二污染等级；其中， 执行所述第一回刻步骤时，通过向所述刻蚀腔中通入O2气体和H2气体，对覆盖在所述衬底上的所述光阻进行部分刻蚀，使所述伪栅极结构的顶面露出，通过减小所述O2气体与所述H2气体之间的比率，降低对所述光阻的刻蚀速率，以抵消第二污染等级的所述刻蚀腔对所述光阻的刻蚀速率产生的加速效应； 执行所述第二回刻步骤时，通过停止向所述刻蚀腔中通入O2气体和H2气体，并向所述刻蚀腔中通入CF4气体和CHF3气体，以及进行氩气轰击，对所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层进行去除。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。