佛山市国星光电股份有限公司谭孟苹获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星光电股份有限公司申请的专利一种显示模组的制备方法、一种芯片结构及一种显示模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904781.1，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种显示模组的制备方法、一种芯片结构及一种显示模组是由谭孟苹;赵志学;马艳伟;赵龙;梁丽芳设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示模组的制备方法、一种芯片结构及一种显示模组在说明书摘要公布了：本发明涉及一种显示模组的制备方法、一种芯片结构及一种显示模组。本发明所述的显示模组的制备方法包括步骤：S1：将衬底划分为刻蚀区和芯片区，其中，衬底的一面为芯片生长面，另一面为背面；分别在衬底的刻蚀区的芯片生长面或背面形成一遮光层，以及在衬底的芯片区的芯片生长面形成芯片阵列；S2：使芯片阵列与基板键合；S3：使激光在衬底的背面一侧照射芯片阵列，使芯片阵列与衬底分离。该显示模组的制备方法在激光剥离之前，预先在刻蚀区的一表面形成遮光层，使得激光无法穿透刻蚀区并照射到其表面因刻蚀未完全而产生的半导体碎片，避免了刻蚀区表面的半导体碎片掉落而影响到基板上的驱动电路的问题，提升显示模组的电学性能和良率。
本发明授权一种显示模组的制备方法、一种芯片结构及一种显示模组在权利要求书中公布了：1.一种显示模组的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1：将衬底划分为刻蚀区和芯片区，其中，所述衬底的一面为芯片生长面，另一面为背面；分别在所述衬底的刻蚀区的芯片生长面或背面形成一遮光层，以及在所述衬底的芯片区的芯片生长面形成芯片阵列，其中，所述遮光层的形成过程为：对所述衬底的刻蚀区的芯片生长面或背面进行刻蚀处理，形成一容纳槽；在所述容纳槽中填充遮光材料，以形成所述遮光层； S2：使所述芯片阵列与基板键合； S3：使激光在所述衬底的背面一侧照射所述芯片阵列，使所述芯片阵列与所述衬底分离。
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