中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李春雨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110266761.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李春雨;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供一基底；在基底上沉积牺牲膜层；在牺牲膜层及基底中形成位线接触塞图案，位线接触塞图案包括多个位线接触塞；去除牺牲膜层；在基底上形成位线图案，位线图案包括多根位线。通过在形成位线接触塞图案之前，先在基底表面沉积一层牺牲膜层；在形成位线接触塞图案之后，去除牺牲膜层，从而防止位线接触塞处相对基底的其他位置高度较低，消除位线接触塞与基底其他位置的高度差，使位线接触塞处的高度与基底的其他位置高度平齐。从而在后续形成位线图案时，能够防止位线接触塞处的位线的侧面被刻蚀，能够防止位线在位线接触塞处的线宽缩减，防止出现位线电阻升高或位线断裂等不良现象。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一基底； 在所述基底上沉积牺牲膜层；在所述基底上形成所述牺牲膜层之前，所述制造方法还包括：在所述基底上沉积第一阻挡层，以防止后续刻蚀牺牲膜层时，对基底表面造成损伤；所述牺牲膜层沉积在所述第一阻挡层上； 在所述牺牲膜层及所述基底中形成位线接触塞图案；其中，所述位线接触塞图案包含多个位线接触塞； 去除所述牺牲膜层，以使所述位线接触塞的上表面与第一阻挡层的上表面平齐； 在所述基底上形成位线图案，其中，所述位线图案包含多根位线，且每个位线接触塞与一根位线接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励