中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金雄熙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115083499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110270125.6,技术领域涉及:G11C29/08;该发明授权多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法是由金雄熙;张欣;杨涛;赵劼设计研发完成,并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法,该并行测试装置包括测试机和第一数量的与门运算器,测试机包括第一数量的比较器,第一数量的与门运算器的输出端与第一数量的比较器的第一输入端一一对应连接;每一与门运算器的第一输入端分别同时连接各单片存储器的具有相同预设标识的引脚,并且各个与门运算器的第一输入端所连接的引脚的预设标识互不相同;与门运算器的第二输入端用于输入预设基准电压;比较器的第二输入端用于输入预设期望电压。本申请的多堆叠存储器封装的并行测试装置,能够同时对多堆叠存储器封装内的多个单片存储器进行并行测试,从而大大减少了测试时间,提高了测试效率,降低了测试时间成本。
本发明授权多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种多堆叠存储器封装的并行测试装置,其中,所述多堆叠存储器封装包括若干相同的单片存储器,每一所述单片存储器包括第一数量的具有不同预设标识的引脚,其特征在于, 所述并行测试装置包括测试机和第一数量的与门运算器,所述测试机包括第一数量的比较器,所述第一数量的与门运算器的输出端与所述第一数量的比较器的第一输入端一一对应连接; 每一所述与门运算器的第一输入端分别同时连接各所述单片存储器的具有相同预设标识的引脚,并且各个所述与门运算器的第一输入端所连接的引脚的预设标识互不相同; 所述与门运算器的第二输入端用于输入预设基准电压;所述比较器的第二输入端用于输入预设期望电压;所述比较器用于将来自所述与门运算器的运算结果与所述预设期望电压进行比较,得到测试结果。
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