深圳市汇顶科技股份有限公司罗伯特·丹尼尔·麦格拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利用于图像传感器像素的均匀桥接梯度飞行时间光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411245.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权用于图像传感器像素的均匀桥接梯度飞行时间光电二极管是由罗伯特·丹尼尔·麦格拉斯设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于图像传感器像素的均匀桥接梯度飞行时间光电二极管在说明书摘要公布了：描述了一种均匀桥接梯度UBG飞行时间ToF光电二极管块，例如用于与图像传感器像素集成。UBGToF光电二极管块可以是UBGToF像素的一部分，并且图像传感器可以包括此类像素的阵列。每个UGBToF光电传感器块具有用于选择性激活的多个抽头，以及光电二极管区域，用于在产生光载流子时通过该多个抽头完成和快速传输光载流子。光电二极管区域的实施例包括光电二极管限定注入、相对浅的第一桥接注入和相对深的第二桥接注入。桥接注入在多个抽头附近和跨多个抽头提供具有均匀掺杂梯度的横向桥接。
本发明授权用于图像传感器像素的均匀桥接梯度飞行时间光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种均匀桥接梯度UBG飞行时间ToF光电二极管块，包括： 设置在第一掺杂类型的半导体衬底上的多个抽头，所述多个抽头至少包括第一读出抽头和第二读出抽头，所述多个抽头中的每一个具有被配置为通过激活网络选择性激活的多个传输栅极中的一个； 光电二极管区域，注入到所述半导体衬底中，并包括： 与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的光电二极管限定注入，所述光电二极管限定注入在所述光电二极管区域上方被注入到第一注入深度； 所述第二掺杂类型的第一桥接注入，所述第一桥接注入在所述光电二极管区域的第一部分上方被注入到第二注入深度，沿所述光电二极管区域的最靠近所述多个抽头的边缘形成跨所述多个抽头的第一横向桥接区域；和 所述第二掺杂类型的第二桥接注入，所述第二桥接注入在所述光电二极管区域的第二部分上方被注入到第三注入深度，形成跨所述多个抽头的第二横向桥接区域并且与所述光电二极管限定注入和所述第一桥接注入至少部分重叠，所述第三注入深度比所述第一注入深度和所述第二注入深度深。
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