格芯新加坡私人有限公司文凤雄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111149945.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案是由文凤雄;具正谋设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案在说明书摘要公布了：本发明涉及在衬底中具有金属‑绝缘体‑金属MIM电容器的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括布置在第一有源区之上的浮置栅极，其中第一有源区位于衬底的有源层中。金属‑绝缘体‑金属MIM电容器可以与浮置栅极横向相邻地布置，其中金属‑绝缘体‑金属电容器的一部分位于有源层中。接触柱可以将金属‑绝缘体‑金属电容器的第一电极连接到浮置栅极。
本发明授权在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，包括： 位于第一有源区之上的浮置栅极，其中所述第一有源区位于衬底的有源层中； 与所述浮置栅极横向相邻的金属-绝缘体-金属MIM电容器，其中所述金属-绝缘体-金属电容器的一部分位于所述有源层中；以及 将所述金属-绝缘体-金属电容器的第一电极连接到所述浮置栅极的接触柱， 其中所述衬底包括位于所述有源层下方的第一电介质层，并且所述金属-绝缘体-金属电容器的下部竖直延伸到所述第一电介质层，以及 其中所述金属-绝缘体-金属电容器跨所述第一有源区的长度的至少一部分延伸。
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