中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011213184.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底及下电极。基底中形成有着陆焊盘。下电极主要包括两个部分，其中一个部分为形成在基底上且与着陆焊盘接触的柱状结构，另一个部分为形成在柱状结构上且与柱状结构的上端面接触的筒状结构。采用下电极由位于下方的柱状结构、以及位于上方的筒状结构这两部分组成。由于位于下方的柱状结构为实心结构，其刚度较好，具有较好的稳定性，能够对位于上方的呈筒状结构的下电极进行支撑，防止整个下电极倾斜。后续工序中在下电极上沉积介质层及上电极时，位于下方的呈柱状结构的下电极还防止整个下电极弯曲变形，从而防止电容器坍塌。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 形成在基底中的着陆焊盘，所述基底还包括隔离部、存储接触部和晶体管，所述着陆焊盘形成在所述存储接触部上，所述着陆焊盘通过所述存储接触部与所述晶体管的源区或漏区电连接，所述隔离部用于隔离相邻两个所述着陆焊盘； 下电极，所述下电极包括： 形成在所述基底上且与所述着陆焊盘接触的柱状结构，所述基底上沉积有刻蚀阻挡层，所述柱状结构贯穿所述刻蚀阻挡层后与所述着陆焊盘接触； 形成在所述柱状结构上且与所述柱状结构的上端面接触的筒状结构，所述柱状结构的外沿与所述筒状结构的外沿重合，所述着陆焊盘的直径大于所述柱状结构及所述筒状结构的直径； 所述柱状结构的高度为h1，所述筒状结构的高度为h2；其中，h1+h2×50%≤h1≤h1+h2×70%。
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