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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011214795.8，技术领域涉及：H10W20/46；该发明授权具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法是由黎云飞;冯骥;张国海;戴锦华设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法，其中该具有空气间隙的晶体管结构包含一基底，一晶体管设置在基底上，一蚀刻停止层覆盖并接触晶体管和基底，一第一介电层覆盖并接触蚀刻停止层，一第二介电层覆盖第一介电层，一沟槽位于栅极结构上方并且在第一介电层和第二介电层内，其中位于第二介电层内的沟槽的宽度小于位于第一介电层内的沟槽的宽度，一填充层设置于沟槽中并且覆盖第二介电层的上表面以及一空气间隙设置在填充层中。

本发明授权具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有空气间隙的晶体管结构，其特征在于，包含： 基底； 晶体管，设置在该基底上，其中该晶体管包含：栅极结构设置在该基底上，源极掺杂区和漏极掺杂区分别埋入于该栅极结构两侧的该基底中； 蚀刻停止层，覆盖并接触该晶体管和该基底； 第一介电层，覆盖并接触该蚀刻停止层； 第二介电层，覆盖该第一介电层； 第一插塞，设置在该第一介电层中并且接触该源极掺杂区； 第二插塞，设置在该第一介电层中并且接触该漏极掺杂区； 第一金属层，设置在该第二介电层中并且接触该第一插塞； 第二金属层，设置在该第二介电层中并且接触该第二插塞； 沟槽，位于该栅极结构上方并且在该第一介电层和该第二介电层内，其中位于该第二介电层内的该沟槽的宽度小于位于该第一介电层内的该沟槽的宽度，并且该第一金属层、该第二金属层、该第一插塞和第二插塞不从该沟槽侧壁曝露，其中，该沟槽的侧壁满足以下两种情况a和b中之一： a该沟槽的侧壁包含靠近该第一插塞和该第一金属层的第一平直侧壁以及靠近该第二插塞和该第二金属层的第二平直侧壁，该第一平直侧壁和该第二平直侧壁各自从该蚀刻停止层的上表面连续延伸到该第二介电层的上表面，该第一平直侧壁不平行于该第一插塞和该第一金属层两者靠近该沟槽的侧壁，该第二平直侧壁不平行于该第二插塞和该第二金属层两者靠近该沟槽的侧壁； b该沟槽的侧壁包含由该第一介电层限定的第一子侧壁和由该第二介电层限定的第二子侧壁，该第一子侧壁与该第二子侧壁彼此不对齐； 填充层，设置于该沟槽中并且覆盖该第二介电层的上表面；以及 空气间隙，设置在该填充层中。

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