长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111221755.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种三维存储器及其制作方法是由吴林春设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一基底结构；形成第一沟道孔于基底结构中；形成第三保护层于第一牺牲层被第一沟道孔所暴露的侧壁；形成第二牺牲层于第一沟道孔中；形成第一叠层结构；形成第二沟道孔于第一叠层结构中，第二沟道孔上下贯穿第一叠层结构，且第二沟道孔在底部介质层上的正投影位于第一沟道孔内；去除第二牺牲层；形成沟道结构于第一沟道孔及第二沟道孔中，沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层外侧面及外底面的存储叠层；其中，所述沟道结构底部在水平方向上占据的尺寸大于所述沟道结构位于所述第一叠层结构中的部分的尺寸。
本发明授权一种三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底结构，所述基底结构自下而上依次包括衬底、第一保护层、第一牺牲层、第二保护层及底部介质层； 形成第一沟道孔于所述基底结构中，所述第一沟道孔上下贯穿所述底部介质层、所述第二保护层、所述第一牺牲层及所述第一保护层，并往下延伸至所述衬底中； 形成第三保护层于所述第一牺牲层被所述第一沟道孔所暴露的侧壁； 形成第二牺牲层于所述第一沟道孔中； 形成第一叠层结构于所述底部介质层上方，所述第一叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层与电介质层； 形成第二沟道孔于所述第一叠层结构中，所述第二沟道孔上下贯穿所述第一叠层结构，且所述第二沟道孔在所述底部介质层上的正投影位于所述第一沟道孔内； 去除所述第二牺牲层； 形成沟道结构于所述第一沟道孔及所述第二沟道孔中，所述沟道结构包括沟道层及环绕于所述沟道层外侧面及外底面的存储叠层；其中，所述沟道结构底部在水平方向上占据的尺寸大于所述沟道结构位于所述第一叠层结构中的部分的尺寸。
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