图核有限公司S.费利克斯获国家专利权
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龙图腾网获悉图核有限公司申请的专利计算机设备和制造计算机设备的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114008777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080045264.2,技术领域涉及:H10D80/20;该发明授权计算机设备和制造计算机设备的方法是由S.费利克斯设计研发完成,并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本计算机设备和制造计算机设备的方法在说明书摘要公布了:根据第一方面,提供了一种包括第一硅基底和第二硅基底的计算机结构。被配置为执行计算操作的计算机电路形成在第一硅基底中,该第一硅基底具有自支撑深度和面向内的表面。多个分布式电容单元形成在第二硅基底中,该第二硅基底具有与第一基底的面向内的表面重叠定位的面向内的表面,并且经由一组连接器连接到第一基底,该组连接器布置成沿面向内的表面之间的结构的深度方向延伸。面向内的表面具有匹配的平面表面尺寸。第二基底具有面向外的表面,在该表面上布置有用于将计算机结构连接到电源电压的多个连接器端子。第二基底具有比第一基底小的深度。
本发明授权计算机设备和制造计算机设备的方法在权利要求书中公布了:1.一种计算机结构,包括: 第一硅基底,其中形成被配置为执行计算操作的计算机电路,第一硅基底具有自支撑深度和面向表面; 第二硅基底,其中形成多个分布式电容单元,第二硅基底具有与第一硅基底的面向表面重叠定位的面向表面,并且经由一组连接器连接到第一硅基底,所述一组连接器沿所述面向表面之间的结构的深度方向延伸,第二硅基底的面向表面具有与第一硅基底的面向表面的平面表面尺寸匹配的平面表面尺寸; 第二硅基底具有外表面,在所述外表面上布置有用于将计算机结构连接到电源电压的多个连接器端子,其中,第二硅基底具有比第一硅基底小的深度。
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