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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利III-V构造集成在IV族基材上获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110534154.9，技术领域涉及：H10D84/08；该发明授权III-V构造集成在IV族基材上是由L·维特斯;N·瓦尔登;A·M·沃克;B·库纳特;Y·莫里斯设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本III-V构造集成在IV族基材上在说明书摘要公布了：一种用于在IV族基材1上形成III‑V构造的方法，所述方法包括：a.提供包括IV族基材1和其上的电介质2的组件，所述介电层包括底部暴露于IV族基材1的沟槽，b.沟槽中开始生长第一III‑V结构，c.在位于底部部分4顶部的沟槽外继续生长，d.在第一III‑V结构的顶部部分5上外延生长第二III‑V牺牲结构6，e.在第二III‑V牺牲结构6上外延生长第三III‑V结构7,7',7”,8，所述第三III‑V结构7,7',7”,8包括：ii.顶部III‑V层，f.使顶部层的第一部分8'与其第二部分8'物理断开，以及g.使第二III‑V牺牲结构6与液体蚀刻介质接触。

本发明授权III-V构造集成在IV族基材上在权利要求书中公布了：1.一种用于在单晶IV族基材1上形成III-V半导体构造的方法，所述方法包括： a.在外延生长腔室中提供组件，所述组件包括单晶IV族基材1和其上的第一介电层2，所述第一介电层2包括底部暴露于IV族基材1的沟槽， b.在沟槽中开始生长第一III-V结构，由此在沟槽内形成第一III-V结构的底部部分4， c.在位于底部部分4顶部的沟槽外继续生长，由此形成第一III-V结构的顶部部分5， d.在第一III-V结构的顶部部分5上外延生长第二III-V牺牲结构6，相对于第一III-V结构4,5，所述第二III-V牺牲结构6在液体蚀刻介质是能被选择性蚀刻的， e.在所述第二III-V牺牲结构6上外延生长第三III-V结构7,7',7'',8，所述第三III-V结构7,7',7'',8包括： i.在所述第二III-V牺牲结构6上的底部III-V层7，其中，相对于底部III-V层7，所述第二III-V牺牲结构6在液体蚀刻介质中是能被选择性蚀刻的， ii.顶部III-V层， f.使第三III-V结构7,7’,7’’,8的顶部层的第一部分8'与其第二部分8''物理断开，以及 g.使第二III-V牺牲结构6与液体蚀刻介质接触，由此相对于第一III-V结构4,5和底部层7对第二III-V牺牲结构6进行选择性蚀刻，从而形成腔室23。

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