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龙图腾网获悉清华大学申请的专利双面吸附的静电吸盘及其装配结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110666476.9，技术领域涉及：H10P72/72；该发明授权双面吸附的静电吸盘及其装配结构是由张鸣;成荣;朱煜;刘相波设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面吸附的静电吸盘及其装配结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种双面吸附的静电吸盘及其装配结构，其中的双面吸附的静电吸盘包括：基体、附着于基体表面的电极层，以及位于电极层远离基体侧的介电层；其中，电极层包括镀设在基体的上表面的上电极以及镀设在基体的下表面的下电极；介电层包括设置在上电极远离基体一侧的上介电层以及设置在下电极远离基体一侧的下介电层；待吸附产品通过上电极吸附在静电吸盘上，静电吸盘通过下电极吸附在底座上，可通过销孔加强静电吸盘与底座的连接。利用上述双面吸附的静电吸盘及其装配机构能够降低局部应变对产品造成的影响，并适用于各种应用环境。

本发明授权双面吸附的静电吸盘及其装配结构在权利要求书中公布了：1.一种双面吸附的静电吸盘，其特征在于，包括：基体、附着于所述基体表面的电极层，以及位于所述电极层远离所述基体侧的介电层；其中， 所述电极层包括镀设在所述基体的上表面的上电极以及镀设在所述基体的下表面的下电极； 所述介电层包括设置在所述上电极远离所述基体一侧的上介电层以及设置在所述下电极远离所述基体一侧的下介电层； 待吸附产品通过上电极吸附在所述上介电层上，所述下介电层通过所述下电极吸附在外部底座上； 在所述基体的四周设置有均分分布的若干弧形槽，在各弧形槽内分别设置有温度传感器； 所述温度传感器包括具有正温度系数的PTC温度传感器和具有负温度系数的NTC温度传感器； 所述NTC温度传感器用于温度采集，所述PTC温度传感器用于当所述基体的实时温度高出预设阈值时，进行报警提醒； 在所述基体上设置有对称分布的两个定位块； 在所述定位块内分别设置有电极接头，所述电极接头包括绝缘件、电极片、电极接柱和定位销孔，所述电极接柱与所述电极层的对应电极相连接； 在静电吸附力不足以确保静电吸盘的位置不动时，通过定位销和所述定位销孔配合辅助固定所述静电吸盘。

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