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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利具有用于降低的EMI的集成屏蔽拓扑结构的隔离变压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113474860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016308.9，技术领域涉及：H01F41/00；该发明授权具有用于降低的EMI的集成屏蔽拓扑结构的隔离变压器是由V·G·卡娜勒卡;R·马丁内斯;Z·张;Y·楚设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有用于降低的EMI的集成屏蔽拓扑结构的隔离变压器在说明书摘要公布了：一种封装电子器件100包括至少部分暴露于封装结构120的外部的第一导电引线124‑131和第二导电引线132‑139，以及在封装结构120中的多级层压结构112。该多级层压结构112包括：第一图案化导电特征部111，其在第一层级中具有多个线匝以形成在第一电路161中耦合至第一导电引线124‑131中的至少一个第一导电引线的第一绕组；第二图案化导电特征部109，其在不同层级中具有多个线匝以形成在与第一电路161隔离的第二电路162中耦合至第二导电引线132‑139中的至少一个第二导电引线的第二绕组；以及导电屏蔽迹线111S，其在与第一图案化导电特征部111和第二图案化导电特征部109间隔开并位于它们之间的第二层级中具有多个线匝，该导电屏蔽迹线111S耦合在第一电路161中。

本发明授权具有用于降低的EMI的集成屏蔽拓扑结构的隔离变压器在权利要求书中公布了：1.一种封装电子器件，包括： 第一导电引线，其至少部分地暴露于封装结构的外部； 第二导电引线，其至少部分地暴露于所述封装结构的所述外部； 所述封装结构中的多级层压结构，所述多级层压结构包括： 第一图案化导电特征部，其在第一层级中具有多个线匝以形成在第一电路中耦合至所述第一导电引线中的至少一个第一导电引线的第一绕组； 第二图案化导电特征部，其在不同层级中具有多个线匝以形成在与所述第一电路隔离的第二电路中耦合至所述第二导电引线中的至少一个第二导电引线的第二绕组；以及 导电屏蔽迹线，其在与所述第一图案化导电特征部和所述第二图案化导电特征部间隔开并位于它们之间的第二层级中具有多个线匝，所述导电屏蔽迹线耦合在所述第一电路中； 其中所述多级层压结构包括在所述第一图案化导电特征部和所述第二图案化导电特征部之间的另一层级中具有多个线匝的第二导电屏蔽迹线，所述第二导电屏蔽迹线耦合在所述第二电路中，并且所述第二导电屏蔽迹线与所述导电屏蔽迹线间隔开以在它们之间创建一个或多个寄生电容器。

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