科威尔技术股份有限公司朱国利获国家专利权
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龙图腾网获悉科威尔技术股份有限公司申请的专利一种降低三电平电路尖峰电压的装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224154131U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520191720.4，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型一种降低三电平电路尖峰电压的装置是由朱国利;张建一;卢成国;李晨阳;陈川辉设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低三电平电路尖峰电压的装置在说明书摘要公布了：一种降低三电平电路尖峰电压的装置，属于电力电子技术领域，降低三电平电路中MOS管源极‑漏极之间开关尖峰电压的问题；本实用新型中每个MOS管和二极管的邻近位置均设置了无感吸收电容，缩短NPC1型三电平电路中换流路径的长度，减小了换流路径的杂散电感；同时在每个MOS管的源极和漏极之间邻近设置RC串联吸收电路，缩短了放电回路路径，极大程度降低开关过程的尖峰电压；当三电平电路在换流过程中，将MOS管邻近设置可以显著缩短长换流路径，进一步减小换流路径的杂散电感，从而减小开关器件承受的尖峰电压，系统电磁兼容性能也会得到提升，MOS管及其吸收器件的选型电压需求也随之降低，进而降低器件选型难度及设备成本，扩大MOS管可选性范围。
本实用新型一种降低三电平电路尖峰电压的装置在权利要求书中公布了：1.一种降低三电平电路尖峰电压的装置，其特征在于，应用于NPC1型三电平电路，包括PCB板以及设置在PCB板上的第一MOS管1、第二MOS管2、第三MOS管3、第四MOS管4、第一二极管5、第二二极管6、RC串联吸收电路7、正半周吸收电容10和负半周吸收电容11；所述正半周吸收电容10包括并联的多个第一吸收电容8，负半周吸收电容11包括并联的多个第二吸收电容9； 所述第一MOS管1、第一二极管5、第二MOS管2、第三MOS管3、第四MOS管4以及第二二极管6依次线性排列，多个所述第一吸收电容8分别与第一MOS管1、第一二极管5以及第二MOS管2相邻设置，多个所述第二吸收电容9分别与第三MOS管3、第四MOS管4以及第二二极管6相邻设置，所述第一MOS管1、第二MOS管2、第三MOS管3以及第四MOS管4的源极和漏极之间均设置一个RC串联吸收电路7。
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