慕德微纳(杭州)科技有限公司尹建军获国家专利权
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龙图腾网获悉慕德微纳(杭州)科技有限公司申请的专利一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116819664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310721598.2，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法是由尹建军;李晓萱;蔡璐设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法，其包括以下步骤，建立模板与衍射光学元件之间的结构补偿关系，根据衍射光学元件不同分区的衍射光栅尺寸，确定残胶层刻蚀速率、以及模板表面的图案尺寸，并形成模板；使用模板将图案压印到可压印介质中，并将无机介质衬底压在可压印介质表面后，使可压印介质压印固化，脱模，检测最小占空比分区上的残胶层厚度；根据刻蚀时间和刻蚀速率，同步分区刻蚀可压印介质，以同时刻蚀完成残胶层。本发明通过控制模板来补偿残胶层结构，解决了现有压印转刻蚀方法在处理残胶层不一致的问题，能不同分区同时刻蚀完成残胶层，且不会改变结构区域线宽，加工可靠性高，适用于工业化应用。
本发明授权一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法在权利要求书中公布了：1.一种通过模板控制残胶层厚度的衍射光学元件加工方法，其特征在于：包括以下步骤， S1建立模板与衍射光学元件之间的结构补偿关系，根据所述衍射光学元件不同分区的衍射光栅尺寸，确定残胶层刻蚀速率、以及模板表面的图案尺寸，并形成模板； ； w1：wn=v1：vn； 其中，t为残胶层的刻蚀时间，d为最小占空比分区上的残胶层厚度，w1、h1、v1依次为最小占空比分区上的衍射光栅线宽、模板图案深度、残胶层刻蚀速率，wn、hn、vn为其它分区上的衍射光栅线宽、模板图案深度、残胶层刻蚀速率，n≥2； S2使用所述S1得到的模板将图案压印到可压印介质中，并将无机介质衬底压在可压印介质表面后，使可压印介质压印固化，脱模，检测最小占空比分区上的残胶层厚度d； S3根据所述S1得到的刻蚀时间和刻蚀速率，同步分区刻蚀所述S2得到的可压印介质，以同时刻蚀完成残胶层。
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