Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 中国科学院合肥物质科学研究院孟钢获国家专利权

中国科学院合肥物质科学研究院孟钢获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116087277B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211539695.1,技术领域涉及:G01N27/12;该发明授权光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置是由孟钢;米龙庆;邓赞红;王时茂;周曙设计研发完成,并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置在说明书摘要公布了:本发明属于电子器件技术领域,具体涉及一种在室温下提升半导体气体传感器灵敏度、降低其检测限的光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置。本发明通过将半导体气体传感器置于充满目标气体的腔室内,通过定时器周期性开启、关断激发光光源,采用脉冲光调制测试;利用脉冲光周期性清洗半导体敏感材料表面、产生表面活性氧,激活气敏响应;连接光脉冲关闭阶段末尾传感器在载气、及目标气体中的电阻Ra_off、Rg_off,获得光调制测试下的响应n型半导体对氧化性气体:Rg_offRa_off,在最优光开时间ton‑ov、光关时间toff‑ov、光功率密度Pov下,传感器可获得最高的气体响应。这种方法可克服现有持续光照带来的副作用,充分释放半导体敏感材料的气敏潜能。

本发明授权光激发半导体气体传感器的测试方法及测试装置在权利要求书中公布了:1.一种光激发半导体气体传感器的测试方法,其特征在于,具体包括如下步骤: S1、将半导体气体传感器置于密封腔体中,在室温下,向密封腔体中周期性依次通入载气和目标气体,一个载气的通入时间tCG和一个目标气体的通入时间tTG为一个通气周期; S2、在步骤S1的通气条件下,选取激发光光源的光功率密度P为0.01–5mWcm2范围内的数值,光开时间ton为1–50s范围内的数值,光关时间toff为1–150s范围内的数值,一个光开时间和一个光关时间为一个光调制周期,保持光功率密度P和光调制周期的光开时间ton不变,调整光调制周期的光关时间toff分别为toff-1、toff-2、toff-3……toff-m,其中m为3≤m≤10的整数,tCG≥3toff+ton,tTG≥3toff+ton;在不同光调制周期下分别采集半导体气体传感器对目标气体的瞬态电阻信号,连接每个光调制周期中光关时间段末的电阻值,获得光调制响应曲线即上包络曲线,提取不同光关时间toff下上包络曲线的电阻变化率,绘制光调制响应随光关时间的变化曲线,在变化曲线中光调制响应的极大值点对应的光关时间,或者距离极大值点最近的光关时间即为最优的光关时间toff-ov; S3、在步骤S1的通气条件下,选取激发光光源的光功率密度为P为0.01–5mWcm2范围内的数值,光关时间为toff-ov,光开时间ton为1–50s范围内的数值,一个光开时间和一个光关时间为一个光调制周期,保持光功率密度P和光调制周期的光关时间为toff-ov不变,调整光开时间ton分别为ton-1、ton-2、ton-3……ton-n,其中n为3≤n≤10整数,tCG≥3toff+ton,tTG≥3toff+ton;在不同光调制周期下分别采集半导体气体传感器对目标气体的瞬态电阻信号,连接每个光调制周期中光关时间段末的电阻值,获得光调制响应曲线即上包络曲线,提取不同光开时间ton下上包络曲线的电阻变化率,绘制光调制响应随光开时间的变化曲线,在变化曲线中光调制响应的极大值点对应的光开时间,或者距离极大值点最近的光开时间即为最优的光开时间ton-ov; S4、在步骤S1的通气条件下,选取光关时间为toff-ov,光开时间为ton-ov,激发光光源的光功率密度P为0.01–5mWcm2范围内的数值,一个光开时间和一个光关时间为一个光调制周期,保持各个光调制周期的光关时间为toff-ov、光开时间为ton-ov不变,调整各个光调制周期的光功率密度P分别为P1、P2、P3……Pz,其中z为3≤z≤10整数,tCG≥3toff+ton,tTG≥3toff+ton;分别采集半导体气体传感器在不同光调制周期下对目标气体的瞬态电阻信号,连接每个光调制周期中光关时间段末的电阻值,获得光调制响应曲线即上包络曲线,提取不同光功率密度P下上包络曲线的电阻变化率,绘制光调制响应随光功率密度P的变化曲线,在变化曲线中光调制响应的极大值点对应的光功率密度P,或者距离极大值点最近的光功率密度P即为最优的光功率密度Pov; S5、在步骤S1的通气条件下,选取光关时间为toff-ov,光开时间为ton-ov,激发光光源的光功率密度为Pov,测试不同浓度目标气体的光调制响应,获得光调制响应与目标气体浓度曲线图。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院合肥物质科学研究院,其通讯地址为:230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。