胜高股份有限公司古贺孝太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利硅晶片和外延硅晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211368047.4，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权硅晶片和外延硅晶片是由古贺孝太郎;鸣嶋康人;野中直哉;小野敏昭;宝来正隆设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅晶片和外延硅晶片在说明书摘要公布了：提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为0.5mΩ·cm至1.2mΩ·cm，并且碳浓度为3.0×1016个原子cm3或更大。与硅晶片的中心深度相比，硅晶片表面附近的碳浓度降低10%或更多。
本发明授权硅晶片和外延硅晶片在权利要求书中公布了：1.直径为200mm的外延晶片，其包含： 掺杂磷且电阻率为0.9mΩ·cm或更小的硅基材； 在所述硅基材上的外延层；和 在所述外延层和所述硅基材之间的边界； 其中在深度方向上所述硅基材中心处所述硅基材的碳浓度为3.0×1016个原子cm3或更大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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