正泰新能科技有限公司吴孙弟获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技有限公司申请的专利太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310163066.1，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法是由吴孙弟;潘红军;康忠平;俞益波;卢玉荣设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法，清洗方法包括：利用槽体中第一浓度的HF对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗硅片表面的BSG层；对硅片进行水洗和烘干；利用第二浓度的HF对烘干后的硅片进行链式酸洗，以清洗硅片背面及侧面剩余的BSG层。本申请公开的技术方案，利用槽式酸洗+链式酸洗进行BSG层清洗，由于槽式酸洗后硅片背面及侧面仅剩余部分BSG层，经过槽式酸洗后更易进行BSG的清洗，则在利用链式酸洗进行清洗时无需高浓度的HF就可对背面和侧面所剩余BSG层的清洗，并可提高BSG层去除效果。且即使链式酸洗时的滚轮水平轻微异常，也不影响去剩余BSG层的效果，降低HF耗量。
本发明授权太阳能电池BSG清洗方法及TOPcon电池制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池BSG清洗方法，其特征在于，包括： 利用槽体中盛有的第一浓度的HF对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的BSG层；所述第一浓度为5%-10%； 对槽式酸洗后的所述硅片进行水洗和烘干； 测量烘干后的所述硅片表面多个采样点处的反射率； 判断各所述采样点处的反射率是否均在设定反射率范围内； 若存在有采样点处的反射率低于所述设定反射率范围内的最小值，则返回所述利用槽体中盛有的第一浓度的HF对硼扩散后的硅片进行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的BSG层的步骤； 若各所述采样点处的反射率均在所述设定反射率范围内，则执行利用第二浓度的HF对烘干后的所述硅片进行链式酸洗，以清洗所述硅片背面及侧面剩余的BSG层；所述第二浓度为20%-25%。
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