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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种SOT-MRAM及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111206785.4，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种SOT-MRAM及其制造方法是由毕冲;娄凯华;刘明设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOT-MRAM及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SOT‑MRAM及其制造方法，该SOT‑MRAM包括基片、设置在基片上的多个存储单元。每个存储单元包括沉积在基片上的SOT层、设置在SOT层上的磁性隧道结。还包括至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且反铁磁绝缘层的磁矩方向与SOT层中写入电流的方向平行。通过在每个磁性隧道结的侧面添加设置至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且还使反铁磁绝缘层的磁矩方向与写入电流的方向平行，能够给自由层提供一个面内磁场，用于SOT‑MRAM的无外磁场翻转，解决SOT‑MRAM由于写入过程中需要施加一个外磁场而无法大规模集成的问题。且所添加设置在反铁磁绝缘层由于环绕磁性隧道结设置，从而还具有保护磁性隧道结不被周围环境影响的作用。

本发明授权一种SOT-MRAM及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM，其特征在于，包括： 基片； 设置在所述基片上的多个存储单元，每个存储单元包括沉积在所述基片上且用于通写入电流的SOT层、以及设置在所述SOT层上的磁性隧道结；其中，所述磁性隧道结包括：沉积在所述SOT层上的自由层、层叠在所述自由层上的绝缘层、以及层叠在所述绝缘层上的参考层； 至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且所述反铁磁绝缘层的磁矩方向与所述写入电流的方向平行； 其中，所述磁性隧道结和所述反铁磁绝缘层按照如下步骤形成： 在所述基片上相邻的SOT层之间填充介质材料，形成介质层； 在所述SOT层及介质层上沉积自由材料层； 在所述自由材料层上沉积绝缘材料层； 在所述绝缘材料层上沉积参考材料层； 在所述参考材料层上覆盖一层光刻胶； 进行光刻图案曝光，保留位于每个磁性隧道结上方的光刻胶； 采用等离子体氧化工艺，将所述参考材料层及自由材料层中未被光刻胶保护的铁磁材料氧化为反铁磁材料，以在保留的光刻胶下方形成所述磁性隧道结，并形成填满所述多个存储单元中相邻磁性隧道结之间空间的所述反铁磁绝缘层。

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