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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种高集成度多二极管结构的高效整流表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115987110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211403937.4，技术领域涉及：H02M7/00；该发明授权一种高集成度多二极管结构的高效整流表面是由程飞;王怀玉;杜春宏;黄卡玛设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成度多二极管结构的高效整流表面在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高集成度多二极管结构的高效整流表面，解决整流表面电路集成度低、效率低、功率容量小的问题。该整流表面介质基片1下表面完全被金属层覆盖，上表面包含m行n列的大小形状均相同的整流表面单元2，m、n为大于等于2的正整数，相邻两行对应位置的整流表面单元2交叉排布，每一行的相邻整流表面单元2之间左右相连，共用两条上下对称的开路线24，每行第1个整流表面单元2通过直流合成网络3连接到直流输出端口A1，每行第n个整流表面单元2右方通过直流合成网络3连接到直流输出端口A2，A1与A2通过电线焊接到一起，作为总的直流输出端口。

本发明授权一种高集成度多二极管结构的高效整流表面在权利要求书中公布了：1.一种高集成度多二极管结构的高效整流表面，其特征在于：介质基片1下表面完全被金属层覆盖，该金属层为地4，上表面包含m行n列的大小形状均相同的整流表面单元2，m、n为大于等于2的正整数，相邻两行对应位置的整流表面单元2交叉排布，每一行的n个整流表面单元2的相邻单元之间左右相连，共用两条上下对称的开路线24，每行第1个整流表面单元2左方独占两条上下对称的开路线24，其左方通过直流合成网络3连接到直流输出端口A1，每行第n个整流表面单元2右方独占两条上下对称的开路线24，其右方通过直流合成网络3连接到直流输出端口A2，两个直流输出端口A1与A2通过电线焊接到一起，作为总的直流输出端口；每个整流表面单元2包含了1个能量接收单元21、4条第一微带线221、2条第二微带线222、4个肖特基二极管23、4条开路线24、4个接地焊盘25；能量接收单元21位于整流表面单元2的中心位置；4条第一微带线221分别位于能量接收单元21的左右两端，关于能量接收单元21左右及上下对称，在垂直方向上偏离能量接收单元21的水平中心线，一端连接着能量接收单元21，另一端连接着肖特基二极管23的阳极；4个肖特基二极管23关于能量接收单元21的中心左右及上下对称，阳极端连接着第一微带线221远离能量接收单元21的一端，阴极连接着接地焊盘25；4个接地焊盘25为长方形，横向排列，关于能量接收单元21左右及上下对称，其中每个接地焊盘25含有4个大小形状均相同的接地通孔251，接地通孔251之间等距横向排列；2条第二微带线222位于能量接收单元21的左右两边，关于能量接收单元21左右对称，一端连接着能量接收单元21的垂直边的中心位置，另一端连接开路线24；4条开路线24为长方形，大小形状均相同，整体纵向排列，关于能量接收单元21左右对称且上下对称，2条开路线24位于整流表面单元2的最左边，另外2条位于最右边，上下2条开路线24连接到第二微带线222。

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