中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所康黎星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211558944.1，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法是由康黎星;朱思齐设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维同轴硒化铌碳纳米管异质结及其制备方法。所述制备方法包括：采用限域填充法，使开口的碳纳米管、硒单质、铌单质于密闭反应腔室中进行固相合成和化学气相传输反应，制得一维同轴硒化铌碳纳米管异质结。本发明提供的方法可以显著地提升材料的稳定性，避免传统异质结产生的应力，更体现一维同轴范德华异质结优异的超导性能，并且这种限域填充与改进的硒化处理相结合的一步法制备大大的简化了制造过程。本发明制得的一维异质结超导体比其他二维超导异质结具有更简单的结构，因此对其进行电‑声相互作用、电子空穴输运、相变等研究理论上更为简单，更能够通过理论研究掌握规律，以便更好地调控和优化材料性能。
本发明授权一维同轴硒化铌/碳纳米管异质结及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一维同轴NbSe2碳纳米管异质结的制备方法，其特征在于，包括： 提供开口的碳纳米管； 采用限域填充法，将所述开口的碳纳米管、硒单质、铌单质共同置于反应腔室底部，密封后形成密闭反应腔室，之后排除反应腔室中的空气，使反应腔室的真空度不大于3×10-3Pa；所述硒单质、铌单质与开口的碳纳米管的质量比为50～90：20～40：10～30； 对所述密闭反应腔室进行加热，使密闭反应腔室内的温度升温，以5～20℃min的速率使密闭反应腔室内的温度室温升至500℃～900℃进行固相合成和化学气相传输反应，保温1～15天后再缓慢降至室温，制得一维同轴NbSe2碳纳米管异质结； 所述一维同轴NbSe2碳纳米管异质结的超导转变温度为4～8K。
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