东南大学崔铁军获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211564559.8，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元是由崔铁军;吴瑞元设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元，该超表面单元包括依次排列的四层完全相同、由空气层分隔的金属层4，每个金属层4中分别设有上下对称的三种方开口环槽隙，分别为第一方开口环槽隙1、第二方开口环槽隙2和第三方开口环槽隙3，分别控制三个不同频段的透射相位；在上半部分中，三种方开口环槽隙由下到上排列，下半部分与上半部分完全对称由上到下排列。该发明集成了8GHz、11.8GHz和18.85GHz三个频段的1比特透射相位调控功能，较现有的双频段透射式相位调控超表面功能更强，填补了三频段透射式超表面的空白，可以应用在多频透射阵天线、跳频通信和多目标通信等领域当中。
本发明授权一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元在权利要求书中公布了：1.一种三频段高透射1比特相位调控型超表面单元，其特征在于该超表面单元包括依次排列的四层完全相同、由空气层分隔的金属层4，每个金属层4中分别设有上下对称的三种方开口环槽隙，分别为第一方开口环槽隙1、第二方开口环槽隙2和第三方开口环槽隙3，分别控制三个不同频段的透射相位；在上半部分中，三种方开口环槽隙由下到上排列，下半部分与上半部分完全对称由上到下排列； 所述第三方开口环槽隙3位于第二方开口环槽隙2的开口内，第二方开口环槽隙2位于第一方开口环槽隙1的开口内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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