中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111152737.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：形成衬底，所述衬底包括电源轨区，所述电源轨区包括第一区和第二区，所述电源轨区上具有横跨第二区的第一鳍和第二鳍；在形成第一鳍和第二鳍后，在所述第一鳍和第二鳍的侧壁面形成侧墙；在所述衬底上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有暴露出电源轨区的第一开口；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成电源轨开口；在所述电源轨开口的内壁面形成隔离膜；在形成所述隔离膜之后，在所述电源轨开口内形成埋藏式电源轨，所述第一区的埋藏式电源轨的宽度大于第二区的埋藏式电源轨的宽度。从而，改善了所形成的半导体结构的性能并增大了形成工艺的工艺窗口。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括电源轨区，所述电源轨区包括沿第一方向排布的第一区、第二区和第三区； 仅位于第一区和第二区上的第一鳍、以及仅位于第二区和第三区上的第二鳍，所述第一鳍和第二鳍沿第二方向排布，所述第二方向垂直于第一方向； 位于所述电源轨区内的埋藏式电源轨，第二区的埋藏式电源轨位于所述第一鳍和第二鳍之间的衬底内，并且，在所述第二方向上，第一区和第三区的埋藏式电源轨的宽度大于第二区的埋藏式电源轨的宽度； 位于所述埋藏式电源轨和衬底之间的隔离膜； 位于所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层表面低于所述第一鳍和第二鳍的顶面；在所述第一介质层内形成有第一延伸开口；所述埋藏式电源轨还形成于所述第一延伸开口内。
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