中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110969027.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：多个鳍部，分立于衬底上；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部，隔离层顶面低于鳍部顶面；器件栅极结构，位于器件单元区的隔离层上且横跨鳍部；源漏掺杂区，位于器件栅极结构两侧的器件单元区的鳍部中；隔断结构，沿鳍部的延伸方向位于相邻器件单元区的源漏掺杂区之间，且至少贯穿相邻器件单元区之间的由隔离层露出的鳍部，隔断结构与相邻器件单元区的器件栅极结构之间平行间隔排列；隔断结构包括导电层以及位于导电层的侧壁和底部的介质结构。隔断结构还包括导电层，使得隔断结构能够用于作为连接导线，以实现不同器件结构之间的电连接，增加了隔断结构的功能多样性以及半导体结构的连线自由度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括分立的器件单元区； 多个鳍部，分立于所述衬底上； 隔离层，位于所述衬底上且围绕所述鳍部，所述隔离层的顶面低于所述鳍部的顶面； 器件栅极结构，位于所述器件单元区的所述隔离层上且横跨所述鳍部，所述器件栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁； 源漏掺杂区，位于所述器件栅极结构两侧的所述器件单元区的鳍部中； 隔断结构，沿鳍部的延伸方向位于相邻器件单元区的源漏掺杂区之间，且至少贯穿相邻器件单元区之间的由所述隔离层露出的鳍部，所述隔断结构与相邻器件单元区的器件栅极结构之间平行间隔排列；所述隔断结构包括导电层以及位于所述导电层的侧壁和底部的介质结构；其中，所述导电层用于作为连接导线，所述介质结构沿垂直于衬底方向的第一厚度大于沿垂直于导电层侧壁方向的第二厚度。
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