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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110887663.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张斌设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成若干刻蚀阻挡结构；在若干所述刻蚀阻挡结构的侧壁面形成保护层；在形成所述保护层后，在若干所述刻蚀阻挡结构和所述待刻蚀层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一掩膜开口，所述第一掩膜开口暴露出若干所述刻蚀阻挡结构和所述待刻蚀层的部分表面；以所述第一掩膜层和若干所述刻蚀阻挡结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成若干第一导电开口；在若干所述第一导电开口内形成若干第一导电结构。从而，增大了工艺窗口，并且，提高了半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部； 位于衬底上且相互分立的若干栅结构，所述栅结构横跨若干所述鳍部，相邻栅结构之间的鳍部内具有源漏结构； 位于衬底和若干所述栅结构上的第一介质层，所述第一介质层表面高于所述栅结构顶面； 位于相邻鳍部之间的第一介质层表面的若干刻蚀阻挡结构，所述刻蚀阻挡结构的至少一部分还位于相邻栅结构之间的第一介质层上； 位于若干所述刻蚀阻挡结构侧壁面的保护层； 位于所述第一介质层内的若干第一导电开口，所述第一导电开口的延伸方向垂直于所述鳍部的延伸方向，所述第一导电开口暴露出所述源漏结构顶面，并且，在所述第一导电开口的延伸方向上，所述第一导电开口的投影与所述刻蚀阻挡结构的投影之间有间隙； 位于若干所述刻蚀阻挡结构和所述第一介质层上的第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一掩膜开口，所述第一掩膜开口暴露出若干所述刻蚀阻挡结构、保护层和第一导电开口，并且，所述刻蚀阻挡结构和保护层在第一方向上贯穿所述第一掩膜开口，所述第一方向垂直于所述第一掩膜开口的延伸方向。

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