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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利双极晶体管氧化层中电离/位移协同效应的仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211405314.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权双极晶体管氧化层中电离/位移协同效应的仿真方法是由李兴冀;杨剑群;魏亚东;应涛设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极晶体管氧化层中电离/位移协同效应的仿真方法在说明书摘要公布了：本发明一种双极晶体管氧化层中电离位移协同效应的仿真方法，涉及电子器件的仿真模拟技术领域，包括如下步骤：构建双极晶体管的氧化层模型，双极晶体管的氧化层模型与高能光子相互作用发生电离辐射效应后，得到电离辐射效应缺陷模型；将带电粒子与双极晶体管的氧化层模型相互作用发生位移辐射效应，得到位移辐射效应缺陷模型，通过SRIM软件计算出位移辐射效应缺陷模型的第二缺陷参数；将第一缺陷参数与第二缺陷参数相关联后输入电离辐射效应缺陷模型后，得到电离位移协同效应缺陷模型，获取电离位移协同效应缺陷模型的第三缺陷参数。本发明避免了地面试验过程中，辐照源难以精准控制能量等问题，提高了仿真的精准度，减小了误差。

本发明授权双极晶体管氧化层中电离/位移协同效应的仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种双极晶体管氧化层中电离位移协同效应的仿真方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：构建双极晶体管的氧化层模型，所述双极晶体管的氧化层模型与高能光子相互作用发生电离辐射效应后，得到电离辐射效应缺陷模型，所述电离辐射效应缺陷模型包括第一缺陷参数，包括： 构建出所述双极晶体管的氧化层模型，模拟经过辐照后，所述氧化层与所述高能光子相互作用产生电子-空穴对，所述电子和所述空穴在所述氧化层的内部电场作用下移动，并与所述氧化层中的氢分子和缺陷发生反应释放质子，所述质子与氢钝化的悬挂键反应生成界面态陷阱，所述空穴与所述氧化层中的缺陷反应生成氧化物陷阱电荷后，得到所述电离辐射效应缺陷模型； 步骤S2：将带电粒子与所述双极晶体管的氧化层模型相互作用发生位移辐射效应，得到位移辐射效应缺陷模型，通过SRIM软件计算出所述位移辐射效应缺陷模型的第二缺陷参数，包括： 将所述带电粒子发射入所述氧化层，得到所述位移辐射效应缺陷模型；所述带电粒子的注量与实际试验注量相同，再通过SRIM软件计算出所述位移辐射效应缺陷模型的所述第二缺陷参数； 步骤S3：将所述第一缺陷参数与所述第二缺陷参数相关联后输入所述电离辐射效应缺陷模型后，得到电离位移协同效应缺陷模型，获取所述电离位移协同效应缺陷模型的第三缺陷参数；统计并分析所述第一缺陷参数、所述第二缺陷参数和所述第三缺陷参数，包括： 将固有氧空位缺陷浓度和氧空位缺陷浓度的和作为最终氧空位缺陷浓度输入所述电离辐射效应缺陷模型，得到所述电离位移协同效应缺陷模型，获取所述电离位移协同效应缺陷模型的所述第三缺陷参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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