浙江大学杨青获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211409763.2，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法是由杨青;林沐春;庞陈雷;张乾威;杨啸宇设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法，属于移频超分辨显微成像领域。深移频超分辨成像芯片包括由下至上依次堆叠设置的衬底层、非线性光学材料膜层、表面等离激元膜系和微结构层；表面等离激元膜系和微结构层的中央区域整体贯穿开设有多边形孔槽，暴露出的部分非线性光学材料膜层作为成像样品放置区；环绕多边形孔槽，微结构层的上表面刻设有若干组微结构。本发明利用非线性四波混频效应激发、调控和增强超大波矢倏逝场并应用于移频超分辨成像，解决了天然波导材料提供的倏逝场波矢有限且波矢越大信号较弱的问题，可在保证成像质量的前提下突破现有线性移频超分辨成像技术的分辨率上限。
本发明授权基于非线性倏逝场的深移频超分辨显微芯片及其成像方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非线性倏逝场的深移频超分辨成像芯片，其特征在于，包括由下至上依次堆叠设置的衬底层101、非线性光学材料膜层102、表面等离激元膜系103和微结构层104；所述表面等离激元膜系103和微结构层104的中央区域整体贯穿开设有多边形孔槽，多边形孔槽底部暴露出的部分非线性光学材料膜层102作为成像样品放置区106；环绕所述多边形孔槽，微结构层104的上表面刻设有若干组微结构105，微结构105为在下层表面等离激元膜系103中激发目标表面等离激元提供相应的倒格矢动量；不同位置处的微结构105具有不同的空间周期和取向性，用于激发具有不同波矢大小和波矢方向的表面等离激元。
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