长鑫存储技术有限公司黄其赞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111121010.7，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器是由黄其赞设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器，涉及半导体领域，该半导体结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一侧形成金属层，并对金属层进行退火处理；在金属层背离半导体衬底的一侧形成介电层；形成覆盖介电层与金属层的绝缘层。能够避免半导体结构制造过程中金属层的电阻变大。
本发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底的一侧形成半导体层和金属层，并对所述金属层进行退火处理，所述金属层位于所述半导体层背离所述半导体衬底的一侧； 在所述金属层背离所述半导体衬底的一侧形成介电层； 形成覆盖所述介电层与所述金属层的绝缘层，包括： 采用热原子层沉积法，形成覆盖所述介电层与所述金属层的第一子绝缘层； 采用等离子体增强原子层沉积法，形成覆盖所述第一子绝缘层的第二子绝缘层；所述第二子绝缘层与所述第一子绝缘层形成所述绝缘层； 所述第二子绝缘层的厚度大于所述第一子绝缘层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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