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龙图腾网获悉北京世纪金光半导体有限公司申请的专利一种沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211397181.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法是由徐妙玲;孙博韬;张晨;邱艳丽;修德琦;韩丽楠设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，n级阶梯源极沟槽位于栅极沟槽的底部，相当于栅极沟槽和n级阶梯源极沟槽均在同一沟槽内部可以使元胞尺寸减小，且n级阶梯源极沟槽的设置还可以使n级阶梯源极沟槽底部注入的高掺杂的第五掺杂区域更深，以更好的保护优化栅氧化层底部的电场分布；并且在源极附近还反并联肖特基二极管，在不影响元胞尺寸的基础上可显著降低MOSFET晶体管二极管压降，提升芯片的集成度，降低集成肖特基二极管的MOSFET器件的制作成本；通过多个结构的改进还可以进一步提升电流密度，降低比导通电阻，并且集成肖特基二极管可明显改善肖特基接触面积，进一步提升肖特基二极管反向续流能力。

本发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽MOSFET器件包括： 衬底； 在第一方向上，依次位于所述衬底一侧的缓冲层、外延层和电流扩展层；所述电流扩展层背离所述衬底的一侧具有栅极沟槽和位于所述栅极沟槽底部的n级阶梯源极沟槽，n为大于或等于1的正整数；所述第一方向垂直于所述衬底所在平面，且由所述衬底指向所述电流扩展层； 位于所述栅极沟槽内的第一结构部分，所述第一结构部分包括栅氧化层、栅极和隔离介质层；其中所述栅氧化层覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁，所述栅极位于所述栅氧化层上，所述隔离介质层覆盖所述栅极背离所述衬底一侧的表面，以及覆盖所述栅极相邻所述n级阶梯源极沟槽一侧的侧壁； 所述第一结构部分相邻的所述栅极沟槽的侧壁具有第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域位于所述第三掺杂区域与所述第一结构部分之间，且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在所述第一方向上依次设置； 所述n级阶梯源极沟槽相邻的所述栅极沟槽的侧壁具有第四掺杂区域，所述n级阶梯源极沟槽的底部具有第五掺杂区域； 所述n级阶梯源极沟槽的底部设置有欧姆接触层，所述n级阶梯源极沟槽的第一级阶梯源极沟槽相邻所述栅极沟槽一侧的侧壁设置有肖特基接触层； 位于所述n级阶梯源极沟槽内的源极，以及位于所述衬底背离所述缓冲层一侧的漏极。

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