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龙图腾网获悉黄山学院申请的专利一种低寄生电感的Si-SiC功率集成模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096361.1，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种低寄生电感的Si-SiC功率集成模块是由周云艳;胡娟;鲍婕;芦莎;孙太明;赵年顺;汪礼;刘梓灿;刘永辉设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低寄生电感的Si-SiC功率集成模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低寄生电感的Si‑SiC功率集成模块，其电路结构包括三相逆变电路、制动电路和三相整流电路。具体组成包括硅基IGBT芯片、碳化硅SBD芯片、硅基FRD芯片、硅基整流二极管芯片、覆铜陶瓷基板、焊料层、键合引线、铜垫片、引脚电极等。本发明的三相逆变电路采用三组直流母线引脚电极分别连接上桥臂各相的集电极，保证三相功率换流回路寄生电感较低并且满足三相均衡工作的要求。制动电路中IGBT芯片的栅极放置在靠近覆铜陶瓷基板边缘引线框架位置，并采用局部双层基板结构，即用铜片代替制动电路发射极键合线的方式，减小了制动电路的栅极回路寄生电感和功率换流回路寄生电感。

本发明授权一种低寄生电感的Si-SiC功率集成模块在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电感的Si-SiC功率集成模块，包括制作在覆铜陶瓷基板11上的三相逆变电路1、制动电路2和三相整流电路3，所述三相逆变电路1包括六个硅基IGBT芯片和六个碳化硅SBD芯片，一个硅基IGBT芯片和一个碳化硅SBD芯片构成一组，共六组，两组构成一相电路，共三相，分别称为U相、V相和W相，每相中的上下组分别称为上桥臂和下桥臂；制动电路2包括一个硅基IGBT芯片和硅基FRD芯片；三相整流电路3包括六个硅基整流二极管，两两一组构成三相，每组分成上臂和下臂，三相的上臂三个硅基整流二极管阴极连接在一起构成共阴极组，三相的下臂三个硅基整流二极管阳极连接在一起构成共阳极组；其特征在于，覆铜陶瓷基板11表面刻蚀有若干铜基板作为布线层，其中一部分铜基板上焊接有引脚电极作为引线框架；所述三相逆变电路1中，U、V、W每相都有专门的直流母线引脚电极，上桥臂焊接在同一个铜基板上，引出三组引脚电极，外接直流电压源的正极，下桥臂焊接在三个不同的铜基板上，各相通过键合线分别连到三个不同的引线框架铜基板上，分别引出三组引脚电极，外接直流电压源的负极；所述制动电路2中的硅基FRD芯片的阴极焊接在三相逆变电路1上桥臂所在的铜基板上，靠近U相上桥臂芯片，并且与U相上桥臂共用同一个引脚电极外接直流电压源的正极；制动电路2中的硅基IGBT芯片的集电极焊接在另一个铜基板上，该铜基板与硅基FRD芯片的阳极通过键合线相连并且引出制动电路2输出引脚电极；制动电路2中的硅基IGBT芯片的发射极旁设有一个外接直流电压源负极的引线框架铜基板9，硅基IGBT芯片的发射极与该外接直流电压源负极的引线框架铜基板9之间采用一个铜片10连接。

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