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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种宽通带薄膜体声波陷波器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115833783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211569563.3，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权一种宽通带薄膜体声波陷波器结构是由白晓园;马宁;廖翱;周俊;兰伯章;张安;卢子焱设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽通带薄膜体声波陷波器结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽通带薄膜体声波陷波器结构，涉及微波无源芯片领域，包括：可在中间级串联谐振器处引入外接匹配电感的FBAR陷波器芯片和宽通带匹配电路结构；本发明，在FBAR陷波器芯片的中间级串联谐振器位置，引入2个及以上外接匹配电感，该匹配电感可以在FBAR陷波器的阻带两端分别引入1个及以上的传输极点，同时可以灵活地调整传输极点的位置，不仅能够优化通带远端的插损和驻波特性，更能有效解决阻带抑制与通带插损驻波相互矛盾的问题，大幅提高通带带宽。

本发明授权一种宽通带薄膜体声波陷波器结构在权利要求书中公布了：1.一种宽通带薄膜体声波陷波器，其特征在于，包括： 可在中间级串联谐振器处引入外接匹配电感的FBAR陷波器芯片和宽通带匹配电路结构； 所述FBAR陷波器芯片包含3种端口，分别为：输入输出端口、接地端口、2个或2个以上的焊盘端口；所述输入输出端口、接地端口和焊盘端口均位于FBAR陷波器芯片表面；其中，所述焊盘端口由FBAR陷波器芯片内部的中间级串联谐振器的下电极或上电极引出，用于外接宽通带匹配电路； 所述宽通带匹配电路结构包含一个介质基板，用于承载FBAR陷波器芯片及宽通带匹配电路；所述宽通带匹配电路包含若干个POC或POG二维、三维螺旋电感，可与FBAR陷波器芯片表面的3种端口实现4处以上外接电感匹配；所述FBAR陷波器芯片整体位于介质基板表面，介质基板背面为金属地； 所述FBAR陷波器芯片表面的焊盘端口成对出现；每一对焊盘端口由同一个中间级串联谐振器引出，分别位于同一个串联谐振器的两端，其中一个焊盘端口与中间级串联谐振器上电极相连，另一个焊盘端口通过刻蚀孔与串联谐振器下电极相连；当成对出现的焊盘端口分置在中心位置串联谐振器的两端时，外接宽通带匹配电路实现3个传输极点； 所述宽通带匹配电路结构，包含用于粘接FBAR陷波器芯片的金属图形，所述金属图形的尺寸大于FBAR陷波器芯片的尺寸； 所述宽通带匹配电路，包括：输入输出接口、接地接口、匹配电感。

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