买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种垂直导电沟道增强型Si基GaN- HEMT器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211516914.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直导电沟道增强型Si基GaN- HEMT器件的制备方法是由代书雨;周理明;徐峰;王毅设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直导电沟道增强型Si基GaN- HEMT器件的制备方法在说明书摘要公布了：一种垂直导电沟道增强型Si基GaN‑HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，在外延片上制备延伸至Si衬底的U型槽；S200，在U型槽的内侧壁从下而上依次制备P型Si和N型Si；S300，在U型槽的槽底制备第一隔离层；S400，在U型槽内，第一隔离层的上方制备多晶硅，将U型槽填满；S500，从多晶硅的顶面的边缘处向下刻蚀，形成垂直向下延伸至P型Si侧的隔离腔，并在隔离腔内制备第二隔离层；S600，在多晶硅的上方制备栅电极；S700，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极；S800，背面处理，并制备源电极。本发明器件的SiO2薄膜深宽比小，对工艺要求更小，工艺更加简单。

本发明授权一种垂直导电沟道增强型Si基GaN- HEMT器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直导电沟道增强型Si基GaN-HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: S100，在外延片上制备延伸至Si衬底2的U型槽； S200，在U型槽的内侧壁从下而上依次制备P型Si11和N型Si7； S300，在U型槽的槽底制备第一隔离层101； S400，在U型槽内，第一隔离层101的上方制备多晶硅9，将U型槽填满； S500，从多晶硅9的顶面的边缘处向下刻蚀，形成垂直向下延伸至P型Si11侧的隔离腔，并在隔离腔内制备第二隔离层102； S600，在多晶硅9的上方制备栅电极8； S700，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极5； S800，背面处理，并制备源电极1； 其中，步骤S100中，所述外延片包括在Si衬底2上依次形成的缓冲层3、GaN本征层4和AlGaN势垒层6；P型Si11上表面低于GaNHEMT器件二维电子气所在水平面，N型Si7上表面与AlGaN层上表面齐平。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。