深圳天狼芯半导体有限公司吴龙江获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利提高测试重现性的GaN器件的测试结构、测试方法及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211456883.8，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权提高测试重现性的GaN器件的测试结构、测试方法及晶圆是由吴龙江设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高测试重现性的GaN器件的测试结构、测试方法及晶圆在说明书摘要公布了：一种提高测试重现性的GaN器件的测试结构、测试方法及晶圆，属于半导体技术领域，包括均呈矩形的两个源极结构、多个复合结构以及多个待测器件；在水平面上，两个源极结构分别位于测试结构的左右侧，多个复合结构以及多个待测器件位于两个源极结构之间，且多个复合结构以及多个待测器件间隔设置并依次排列，复合结构包括漏极结构、设置于复合结构上侧的第一栅极结构以及设置于复合结构下侧的第二栅极结构，待测器件至少三个侧面被所述源极结构或所述栅极结构包围；故可以在所述栅极结构和所述源极结构之间加预设时长的预设电压，使各个待测器件底部的陷阱达到充电饱和的稳定状态以进行允收测试，从而提高了允收测试的测试结果的重现性与准确性。
本发明授权提高测试重现性的GaN器件的测试结构、测试方法及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种提高测试重现性的GaN器件的测试结构，其特征在于，包括均呈矩形的两个源极结构、多个复合结构以及多个待测器件； 在水平面上，两个所述源极结构分别位于所述测试结构的左右侧，多个所述复合结构以及多个所述待测器件位于两个所述源极结构之间，且多个所述复合结构以及多个所述待测器件间隔设置并依次排列，所述复合结构包括漏极结构、设置于所述复合结构上侧的第一栅极结构以及设置于所述复合结构下侧的第二栅极结构，所述待测器件至少三个侧面被所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中至少一者以及两个所述源极结构包围； 在纵切面上，所述源极结构包括设置于GaN晶圆上表面的第一金属区； 所述GaN晶圆包括外延层。
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