北京北方华创微电子装备有限公司张月获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211476228.9，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法是由张月设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法，刻蚀方法包括：在SiC衬底的表面上沉积第一阻挡层；利用第一刻蚀气体对第一阻挡层进行刻蚀以形成多个第一开口，并在SiC衬底上形成保护层，保护层用于防止SiC衬底被刻蚀，第一刻蚀气体包括碳氟类气体和含有H元素的气体。本发明实现了在对SiC衬底上的阻挡层进行开口工艺时减少对下层SiC的过刻蚀量，进而提高后续制造半导体器件的性能和制造良率。
本发明授权一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 在SiC衬底的表面上沉积第一阻挡层； 利用第一刻蚀气体对所述第一阻挡层进行刻蚀以形成多个第一开口，并在所述SiC衬底上形成保护层，所述保护层用于防止所述SiC衬底被刻蚀，所述第一刻蚀气体包括碳氟类气体和含有H元素的气体； 所述利用第一刻蚀气体对所述第一阻挡层进行刻蚀以形成多个第一开口，并在所述SiC衬底上形成保护层采用的工艺参数包括： 上电极中心功率范围为：1-500W； 上电极边缘功率范围为：500-3000W。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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