泉州三安半导体科技有限公司石保军获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利倒装发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211585953.X，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权倒装发光二极管及发光装置是由石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
本发明授权倒装发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管包括： 外延结构，由下至上包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间； 第一电极，位于所述外延结构之上，并电连接所述第一半导体层； 第二电极，位于所述外延结构之上，并电连接所述第二半导体层； 其中，所述第一电极和或所述第二电极是多层金属结构，所述多层金属结构包括依次层叠的金属反射层、第一阻挡层、导电金属层和第二阻挡层，所述金属反射层位于所述第一半导体层与所述第一阻挡层之间，所述多层金属结构中厚度最厚的一层是所述导电金属层，所述导电金属层为Al层，所述第二阻挡层位于所述导电金属层上； 其中，所述的第一阻挡层包括Ni层和夹着Ni层的两层Ti层，所述的第二阻挡层为Ti层和Pt层的组合，且由下至上Ti层的厚度逐渐增加。
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