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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件模型的建模方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115758677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211336724.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种半导体器件模型的建模方法及相关设备是由王成成;卜建辉;高立博;闫珍珍;郭燕萍;许婷;赵发展;罗家俊;韩郑生设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件模型的建模方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件模型的建模方法及相关设备，涉及半导体技术领域，能够提高建模得到的电子半导体器件模型的适用温度范围。半导体器件模型的建模方法，包括：根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围；在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型；根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型。

本发明授权一种半导体器件模型的建模方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，包括： 根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围，所述器件高温数据是对半导体器件的实体进行电学性能测试得到的测试数据，用于反映的是高温测试环境中半导体器件的电学性能参数；所述参数提取为模型参数数值的修正，将已有半导体器件中的对应模型参数利用所述器件高温数据进行数值修正，得到的所述半导体器件高温模型适用于高温环境； 在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型； 所述亚阈值漏电温度模型是亚阈值漏电参数与温度之间的函数解析式，所述温度为半导体器件所处环境的温度；所述在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型，包括： 将亚阈值漏电参数与温度之间的所述函数解析式替换掉所述半导体器件高温模型中的亚阈值漏电参数，使亚阈值漏电参数与温度相关联，得到所述优化版半导体器件高温模型； 根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型； 所述根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型，包括： 根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型中的所述温度参数进行动态拟合，以使所述半导体器件高温模型中器件特性参数的仿真值与实际测试值的误差小于标准误差，以完成所述温度参数的提取，得到所述终版半导体器件高温模型，所述温度参数包括：亚阈值漏电参数、阈值电压、迁移率和输出电流。

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