长鑫存储技术有限公司张书浩获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111010377.1，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构是由张书浩;陈海波设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。该形成方法包括：提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在半导体衬底表面形成栅极结构；在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；两种以上离子包含氟离子；对半导体衬底进行退火处理。另外，该形成方法还包括：根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。本申请通过在场效应晶体管浅掺杂区注入氟离子，实现了使用一道离子注入工艺，达到场效应晶体管电性能调节的目的。
本发明授权场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底并对所述半导体衬底进行离子注入，形成有源区； 在所述半导体衬底表面形成栅极结构； 在所述栅极结构的两侧注入离子形成halo区和浅掺杂区，所述halo区离子注入的角度大于所述浅掺杂区离子注入的角度； 在所述浅掺杂区和所述halo区注入氟离子，所述浅掺杂区包括浅掺杂区其它离子分布和浅掺杂区氟离子分布，所述氟离子的注入深度大于所述浅掺杂区其它离子分布的注入深度，且所述halo区的所述氟离子的离子注入深度大于所述浅掺杂区氟离子分布的所述氟离子的离子注入深度； 对所述半导体衬底进行退火处理。
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