长江存储科技有限责任公司吴双双获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211433238.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器件是由吴双双;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器件，包括：衬底；堆叠结构，形成于衬底上，所述堆叠结构具有沿第一方向设置的核心阵列区和台阶区；第一墙结构，沿着第一方向设置在台阶区中；以及第二墙结构，沿着不同于第一方向的第二方向设置在台阶区中且与第一墙结构交叉。根据本申请的三维存储器件，可增加台阶区中的支撑，减小台阶区的应力形变，提高三维存储器件的良率和可靠性。
本发明授权三维存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构具有沿第一方向设置的核心阵列区和台阶区；所述堆叠结构包括位于所述台阶区的第一墙结构和第二墙结构，所述第一墙结构沿所述第一方向延伸；所述第二墙结构沿第二方向延伸，且所述第一方向和所述第二方向交叉；以及 沟道结构，所述沟道结构沿垂直于所述堆叠结构的方向贯穿所述堆叠结构； 其中，所述第一墙结构和或所述第二墙结构中设置有所述沟道结构；每个所述沟道结构包括多层功能层结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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