中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈卓凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110970620.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈卓凡设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，栅极结构的侧壁形成有侧墙，侧墙的侧壁形成有刻蚀停止层，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖刻蚀停止层的侧壁；在栅极结构、侧墙和刻蚀停止层的顶部形成第一保护层；形成第一保护层后，形成覆盖在第一层间介质层和第一保护层顶部的第二层间介质层；形成第二层间介质层之后，在源漏掺杂层的顶部形成贯穿第二层间介质层和第一层间介质层的第一开口；在第一开口中形成源漏插塞。有利于确保刻蚀停止层对侧墙的覆盖能力，使得侧墙因被暴露而受到损伤的风险也下降，从而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上，所述栅极结构包括栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底中； 侧墙，覆盖所述栅极结构的侧壁； 刻蚀停止层，位于所述侧墙的侧壁； 一步成形的保护层，位于所述栅极结构、侧墙和刻蚀停止层的顶部、以及延伸覆盖所述刻蚀停止层的部分侧壁，且所述保护层为一体式结构； 层间介质层，位于所述栅极结构侧部的基底上并覆盖源漏掺杂层，所述层间介质层还覆盖所述保护层的顶部； 源漏插塞，贯穿位于源漏掺杂层顶部的所述层间介质层，所述源漏插塞的底部和所述源漏掺杂层的顶部电连接； 栅极插塞，贯穿所述栅极结构顶部的所述层间介质层和保护层，所述栅极插塞的底部与所述栅极结构的顶部电连接。
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