中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110775623.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：在第一器件区和第二器件区交界处，形成贯穿沟道叠层和第一预设厚度的基底的第一凹槽，第一凹槽的底部位于衬底中；在第一凹槽的侧壁形成第一保护层；在第一器件区和第二器件区交界处，以第一保护层为掩膜，刻蚀第一凹槽底部的第二预设厚度的衬底，在衬底中形成第二凹槽，第二凹槽的侧壁相对于第一凹槽的侧壁向外凸出，且第二凹槽的顶部与第一凹槽的底部相连通；在第一凹槽和第二凹槽中形成介电墙。提高了介电墙对第一器件区基底中的阱区与第二器件区基底中的阱区之间的电隔绝效果，从而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括衬底以及凸立于所述衬底上的鳍部，所述基底包括相邻的第一器件区和第二器件区； 沟道结构层，悬置于所述第一器件区和第二器件区的鳍部上，所述沟道结构层在纵向上包括一个或多个间隔设置的沟道层； 隔离层，位于所述第一器件区和第二器件区的所述衬底上，且露出所述沟道结构层的侧壁； 介电墙，贯穿所述第一器件区和第二器件区交界处的所述沟道结构层、鳍部以及部分厚度的衬底，所述介电墙包括位于所述衬底中的底部介电墙、以及位于所述底部介电墙顶部的顶部介电墙，所述底部介电墙的侧壁相对于所述沟道结构层的侧壁向内凹进； 栅介质层，所述栅介质层保形覆盖所述沟道结构层的部分顶部、部分侧壁和部分底部、所述沟道层露出的介电墙侧壁、以及所述隔离层的顶部； 栅电极层，位于所述隔离层的顶部且横跨所述沟道结构层和介电墙，所述栅电极层环绕覆盖所述栅介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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