长鑫存储技术有限公司杨正杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110757666.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由杨正杰设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括电极覆盖层，位于基底上；接触结构，包括第一部分及第二部分，第一部分与电极覆盖层相接触，第二部分的底部与第一部分顶部相接触；第一部分的宽度大于第二部分底部的宽度；其中，接触结构的下表面不低于电极覆盖层的下表面。与直接形成上下宽度相等的接触结构相比，电极覆盖层接触结构增加了接触结构与电极覆盖层的接触面积，在减小接触电阻同时消除接触结构中的空洞。并且，与电极覆盖层相接触的第一部分在化学机械研磨过程中起到支撑作用，避免了负载效应或接触结构凹陷的问题。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 电极覆盖层，位于基底上； 接触结构，包括第一部分及第二部分，所述第一部分与所述电极覆盖层相接触，所述第二部分的底部与所述第一部分顶部相接触；所述第一部分的宽度大于所述第二部分底部的宽度； 其中，所述接触结构的下表面不低于所述电极覆盖层的下表面； 所述第一部分嵌入所述电极覆盖层内，且所述第一部分的上表面高于所述电极覆盖层的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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